Lớp tiếp xúc thụ động – Chìa khóa để tối ưu hiệu suất chuyển đổi quang năng thành điện năng – Công nghệ quan trọng quyết định hiệu quả tối đa
Bảo hành sản phẩm 12 năm
Bảo hành hiệu suất 30 năm
Suy hao năm đầu tiên ≤ 1%
Suy hao hàng năm từ năm thứ 2 trở đi
-0.4%
Công suất tấm pin sau 30 năm sử dụng là 87.4% công suất danh định.
Hệ số nhiệt độ của loại P là -0,35%/℃.
Trong điều kiện nhiệt độ cao, Tiger Neo có thể
tạo ra công suất nhiều hơn 2% so với loại P
Công nghệ Topcon trên tế bào quang điện loại N giúp cải thiện hệ số suy hao công suất theo nhiệt độ, từ -0.35% (P) xuống còn -0.30% (Loại N)
Hệ số công suất mặt sau của mô đun hai mặt loại N lên tới 85%, so với loại P chỉ là 70% giúp cải thiện đáng kể sản lượng điện cho dự án sử dụng tấm pin hai mặt (Bifacial)
Tỷ lệ pha tạp Boron rất thấp dẫn đến suy hao LeTID trên mô đun loại N chỉ còn 0.4% (so với 0.9~1.2% trên loại P) và gần như không còn suy hao LID.
610Wp (Chỉ phía trước)
Hiệu quả 21,82%
Chống PID
Bảo hành nguồn tuyến tính 30 năm
575Wp
Hiệu quả 22,3%
Chống PID
Bảo hành nguồn tuyến tính 30 năm
570Wp (Chỉ phía trước)
Hiệu quả 22,1%
Chống PID
Bảo hành nguồn tuyến tính 30 năm
